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复合电流扩展层及其制作方法

基本信息

申请号 CN201710676698.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107492570B 公开（公告）日 2017-12-19
申请公布号 CN107492570B 申请公布日 2017-12-19
分类号 H01L29/778(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 孟锡俊;张翼;陈勘 申请（专利权）人 西安中为光电科技有限公司
代理机构 成都市鼎宏恒业知识产权代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 西安中为光电科技有限公司
地址 710000陕西省西安市电子城电子西街3号201号厂房二层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种复合电流扩展层及其制作方法，属一种电流扩展层的制作方法，所述电流扩展层包括由下至上设置的底层隔离层、GaN电流扩展层、异质结隔离层与AlGaN势垒层；通过多层复合而成的电流扩展层，异质结高迁移率二维电子或空穴气电流扩展层，利用该高迁移率的二维电子或空穴气层，可将电流更加有效的扩展开，消除电流拥堵严重的问题，提高芯片可靠性，降低芯片的Droop效应；同时本发明所提供的一种复合电流扩展层结构简单，适于在各类芯片上生长使用，应用范围广阔。