晶体生长速度检测方法、控制方法及系统专利查询专利号|摘要-满商公司网

晶体生长速度检测方法、控制方法及系统

基本信息

申请号	CN201310455698.1	申请日	-
公开（公告）号	CN104514030B	公开（公告）日	2017-01-04
申请公布号	CN104514030B	申请公布日	2017-01-04
分类号	C30B11/00(2006.01)I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	徐永亮;廖永建;吴智洪;于海群	申请（专利权）人	上海昀丰新能源科技有限公司
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	内蒙古恒嘉晶体材料有限公司
地址	015000 内蒙古自治区巴彦淖尔经济技术开发区富源北路1号管委会大楼112室
法律状态	-

摘要

本发明公开的晶体生长速度检测方法包括以下步骤：分别检测第一时刻和第二时刻坩埚内熔体液面的高度，得到熔体液面的高度变化值；根据公式

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计算晶体界面生长速度；或者根据公式

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计算晶体重量生长速度。上述方案相比于背景技术所述的通过探测棒直接伸入到晶体界面，通过检测晶体界面的推进计算晶体生长速度而言，能够避免探测棒与晶体界面处的接触，进而避免对晶体界面处熔体的影响，最终能够提高晶体质量及晶体生长的稳定性。本发明还公开了一种晶体生长速度检测系统。基于上述晶体生长速度检测方法及系统，本发明还公开了一种晶体生长速度控制方法及系统。