一种氮化铝晶体生长制备炉
基本信息
| 申请号 | CN201210576766.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103014867B | 公开（公告）日 | 2016-04-06 |
| 申请公布号 | CN103014867B | 申请公布日 | 2016-04-06 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 徐永亮;施海斌;张国华 | 申请（专利权）人 | 上海昀丰新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 上海昀丰新能源科技有限公司;内蒙古恒嘉晶体材料有限公司 |
| 地址 | 201315 上海市浦东新区康桥镇康意路499号2幢A座5545室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化铝晶体生长制备炉，包括保温装置和内部的筒状带底加热装置，并且还包括由所述氮化铝晶体生长制备炉底部穿入所述筒状带底加热装置内部的坩埚升降轴，所述坩埚升降轴与所述筒状带底加热装置同轴，并可带动安装在其端部的坩埚下部暴露于筒状带底加热装置之外。由于本发明所提供的氮化铝晶体生长制备炉增加了坩埚升降轴，从而实现了在氮化铝晶体生长之前对氮化铝晶体生长位置的杂质预先清除，进而显著减少了氮化铝晶体的杂质含量，提高了氮化铝晶体的纯度。 |
