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晶体生长速度检测方法、控制方法及系统

基本信息

申请号 CN201310455698.1 申请日 -
公开（公告）号 CN104514030A 公开（公告）日 2015-04-15
申请公布号 CN104514030A 申请公布日 2015-04-15
分类号 C30B11/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 徐永亮;廖永建;吴智洪;于海群 申请（专利权）人 上海昀丰新能源科技有限公司
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海昀丰新能源科技有限公司;内蒙古恒嘉晶体材料有限公司
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区丹桂路799号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开的晶体生长速度检测方法包括以下步骤：分别检测第一时刻和第二时刻坩埚内熔体液面的高度，得到熔体液面的高度变化值；根据公式计算晶体界面生长速度；或者根据公式计算晶体重量生长速度。上述方案相比于背景技术所述的通过探测棒直接伸入到晶体界面，通过检测晶体界面的推进计算晶体生长速度而言，能够避免探测棒与晶体界面处的接触，进而避免对晶体界面处熔体的影响，最终能够提高晶体质量及晶体生长的稳定性。本发明还公开了一种晶体生长速度检测系统。基于上述晶体生长速度检测方法及系统，本发明还公开了一种晶体生长速度控制方法及系统。