一种生长铜基多层石墨烯的方法
基本信息
| 申请号 | CN201810759667.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108706574A | 公开（公告）日 | 2018-10-26 |
| 申请公布号 | CN108706574A | 申请公布日 | 2018-10-26 |
| 分类号 | C01B32/186 | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 黄孟琼;李璐;屈晓兰 | 申请（专利权）人 | 无锡市惠诚石墨烯技术应用有限公司 |
| 代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 黄冠华 |
| 地址 | 214000 江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号1号楼0120室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种生长铜基多层石墨烯的方法，包括如下步骤：(1)对铜箔基底进行预处理后放入支架中；(2)在支架的外面包覆一层金属箔；(3)将上述包覆金属箔的支架放入真空系统进行退火处理；(4)通入含碳气体反应30‑60min，降温后在铜箔的表面即形成多层石墨烯。本发明由于采用低压气相沉积法生长铜基石墨烯，安全性好、生长速度快；在支架的外面包覆一层金属箔可以提高对含碳气体的催化分解效率，使碳原子的浓度增加，同时抑制铜箔基底的蒸发，有助于形成多层石墨烯。采用本发明的方法操作简单易行、外层包覆金属箔可以重复使用，不额外增加能耗，可形成高质量、高多层率的石墨烯。 |
