一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺
基本信息
| 申请号 | CN201310227823.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103290374B | 公开（公告）日 | 2016-03-16 |
| 申请公布号 | CN103290374B | 申请公布日 | 2016-03-16 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡党平;付少剑;何伟;连维飞;苗成祥;魏青竹;保罗 | 申请（专利权）人 | 泗阳腾晖光电有限公司 |
| 代理机构 | 苏州华博知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中利腾晖光伏科技有限公司;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 地址 | 223800 江苏省宿迁市泗阳县经济开发区众兴东路211号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种晶体硅太阳能电池片镀膜工艺，所述工艺包括以下步骤：（1）进舟：将硅片放入石英舟中；（2）升温：通入氮气后升温；（3）预清洗：同时通入氮气和氨气并开启射频进行预清洗；（4）等离子溅射沉积：通入氨气和硅烷，开启射频等离子溅射沉积；（5）出舟；（6）冷却。本发明的有益效果是：缩短生产时间，提升生产产能，缩短工艺运行时间缩短6分钟；节省氨气使用量，降低生产成本；改善氮化硅薄膜的均匀性；提升电池片的转换效率；方法简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。 |
