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一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺

基本信息

申请号	CN201310338042.1	申请日	-
公开（公告）号	CN103367551B	公开（公告）日	2015-08-19
申请公布号	CN103367551B	申请公布日	2015-08-19
分类号	H01L31/18(2006.01)I;C30B31/06(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	付少剑;蒋文杰;何伟;刘聪;苗成祥;魏青竹;保罗	申请（专利权）人	泗阳腾晖光电有限公司
代理机构	苏州华博知识产权代理有限公司	代理人	中利腾晖光伏科技有限公司;苏州腾晖光伏技术有限公司
地址	223800 江苏省宿迁市泗阳县经济开发区众兴东路211号
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，主要涉及晶体硅太阳能电池生产过程中液态磷源扩散法P-N结的制备，其特征在于，进舟后首先在扩散工序的升温的过程中通少量氧气，形成一层二氧化硅薄层，使得沉积在硅片表面的磷原子必须通过二氧化硅层这层薄膜才能扩散进入硅片，从而达到均匀扩散的效果，然后先高温通源沉积，可以快速有效的溶解金属沉淀和金属复合体，再进行降温仅通氮气，再进行补源二次低温通源沉积，极大地增加了吸杂的驱动力，最后再进行推进、冷却，采用本发明工艺，能够有效提升太阳能电池的光电转换效率，极大缩短生产时间，提升生产产能，节省磷源使用量，降低生产成本，且工艺简单可行，不需要增加额外工序步骤和物料。