一种晶体管及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201810928300.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109119473B | 公开（公告）日 | 2021-09-21 |
| 申请公布号 | CN109119473B | 申请公布日 | 2021-09-21 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 南京棠邑科创服务有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 任立 |
| 地址 | 211500 江苏省南京市六合区雄州街道王桥路59号裙楼214室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种新型半导体晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：衬底，所述衬底上设有一源区、一漏区以及连通所述源漏区的沟道区；一栅结构，所述栅结构是垂直结构，在晶体管开启时，源极的电子，顺着体内垂直多晶硅栅的两侧向漏极水平流动，从而实现将位于器件表面的单一平面沟道转移到沟槽侧壁成为多条导电沟道的目的，本发明相比较传统的平面型晶体管结构具有更低的导通电阻，更高的电流驱动能力。 |
