一种充放电MOS保护电路
基本信息
| 申请号 | CN201922303131.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211880112U | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN211880112U | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | H02J7/00(2006.01)I | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 禹成海 | 申请（专利权）人 | 苏州妙益科技股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区05幢（NW-05）401室和501室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型一种充放电MOS保护电路，包括电池以及保护电路，所述保护电路包括电流取样电阻RS、放电控制mosQD、充电控制mosQC，还包括放电mos保护稳压管ZD、放电mos保护电容CD、充电mos保护稳压管ZC、充电mos保护电容CC，其中所述电流取样电阻RS用于CPU测量电流，所述放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC提供限压保护，本实用新型放电mos保护电容CD以及充电mos保护电容CC具有吸收尖峰能力，与放电mos保护稳压管ZD以及充电mos保护稳压管ZC配合保护mos管，切断越快、反压越高，mos切断后，利用对电容的充放电，降低电流变化率，进而降低反压。 |
