一种降低区熔POLY背封单抛片边缘晶孔的加工工艺
基本信息
| 申请号 | CN201910917213.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110718457B | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN110718457B | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L21/304（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王虎;武卫;杨梦晨;邓碧鑫;石明;孙晨光 | 申请（专利权）人 | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 300384天津市滨海新区高新区华苑产业区（环外）海泰东路12号内 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种降低区熔POLY背封单抛片边缘晶孔的加工工艺，对酸腐片依次进行POLY背封、减薄和抛光，并对减薄后的清洗工序进行了优化匹配。本发明将减薄工序调整到POLY背封工序后，可将POLY背封过程产生的晶孔现象大大降低，本发明与现有工艺相比，加工步骤一样，加工成本未增加，大大提高了成品合格率，具有很高的实际应用价值。 |
