一种〈100〉晶向硅单晶研磨片表面损伤层厚度的测试方法
基本信息
| 申请号 | CN202210352909.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114485522A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114485522A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | G01B21/08（2006.01）I;G01N17/00（2006.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 由佰玲;徐荣清;董楠;邓春星;刘姣龙;周迎朝;裴坤宇;原宇乐;张堪;武卫;谭永麟;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人 | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 代理机构 | 天津诺德知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 300384天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种〈100〉晶向硅单晶研磨片表面损伤层厚度的测试方法，步骤包括：在碱液中连续腐蚀多个同一规格的被测硅片若干次；获取每次腐蚀后每个被测硅片的累计腐蚀厚度和每次腐蚀速率；确定所有被测硅片的腐蚀速率与累计腐蚀厚度的变化规律是否一致；选取每个被测硅片的腐蚀速率趋于稳定时首次出现的点为该被测硅片的拐点；确定本批次被测硅片中每个拐点所对应的累计腐蚀厚度的平均值即为该批次被测硅片的表面损伤层厚度。本发明可快速分析和监控硅片生产工艺中硅研磨片表面损伤层深度，为半导硅片在不同工艺制程中的加工（减薄）去除量提供依据，判断结果精准且再现性好。 |
