一种ALD沉积装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110802549.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113529055A | 公开（公告）日 | 2021-10-22 |
| 申请公布号 | CN113529055A | 申请公布日 | 2021-10-22 |
| 分类号 | C23C16/455 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 张耀辉;宗璐 | 申请（专利权）人 | 合肥联顿恪智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 泉州企记知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 许寿宁 |
| 地址 | 230601 安徽省合肥市经济技术开发区青龙潭路产业园研发楼D1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种ALD沉积装置及方法，包括输气总管，所述输气总管的入口处连接有若干根用于输入前驱体或清洁体的进气管，所述输气总管的出口处连接有若干根出气管，所述出气管的出口处连接有至少一个喷嘴，所述喷嘴均布在同一平面内，该平面内位于中部的喷嘴的流量大于位于外周侧的喷嘴的流量，以使喷向基板的前驱体始终保持由基板中间往其边缘流动的趋势。本装置循环时间短、适用于大尺寸基板的原子层沉积。 |
