一种溅射镀膜装置及成膜方法

基本信息

申请号 CN202110697536.3 申请日 -
公开(公告)号 CN113481478A 公开(公告)日 2021-10-08
申请公布号 CN113481478A 申请公布日 2021-10-08
分类号 C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 张耀辉;宗璐 申请(专利权)人 合肥联顿恪智能科技有限公司
代理机构 泉州企记知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 张柳
地址 230601安徽省合肥市经济技术开发区青龙潭路产业园研发楼D1
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种溅射镀膜装置及成膜方法,涉及真空镀膜技术领域。一种溅射镀膜装置及成膜方法,包括溅射源,溅射源包括电极板机构、阴极棒和靶材管,所述靶材管包裹在阴极棒的外部形成棒状的阴极靶体,所述电极板机构的数量为两个,且两个所述的电极板机构相向放置,所述电极板机构之间形成有狭缝,所述狭缝内均匀分布有阴极靶体和气孔结构,所述气孔结构均匀分布于阴极靶体之间。本发明通过对电极和基板的侧向设置,从而能够有效的防止因靶材及其阴极正对基板,而造成的等离子体对基板表面膜层及薄膜晶体管、发光二极管和有机电致发光显示器等元器件的损伤,进而间接的提升产品的质量,降低产品的不合格率。