一种倒装功率器件封装结构
基本信息
| 申请号 | CN201922448547.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN210925986U | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN210925986U | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | H01L23/31;H01L23/488 | 分类 | - |
| 发明人 | 詹创发 | 申请（专利权）人 | 湖北方晶电子科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 东莞市中正知识产权事务所（普通合伙） | 代理人 | 侯来旺 |
| 地址 | 443600 湖北省宜昌市秭归县茅坪镇建东大道197号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种倒装功率器件封装结构，基板顶部贴合有异形导电金属层，并且在异形导电金属层表面有通过热压成型凸起的导电柱，通过导电连接层将异形导电金属层和功率半导体芯片导电连接；功率半导体芯片的顶面成型有铝电极，并且在铝电极上键合有焊接金属球；异形导电金属层和功率半导体芯片表面设有绝缘层，将芯片和导电柱全部密封包裹，导电柱和焊接金属球顶部一部分裸露在绝缘层表面；采用新的贴片封装结构，能够实现功率半导体芯片垂直导电的性能；用料少，单颗封装成本低；使用异形导电金属层的导电柱导通电流，比传统封装结构中焊线工艺电流密度大；采用绝缘材料进行侧边保护，实现工艺简单，用量少，成本低。 |
