一种氮化镓功率器件及其封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202111113297.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113707624A | 公开（公告）日 | 2021-11-26 |
| 申请公布号 | CN113707624A | 申请公布日 | 2021-11-26 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L23/49（2006.01）I;H01L23/495（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 傅玥;孔令涛 | 申请（专利权）人 | 南京芯干线科技有限公司 |
| 代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 吴竹慧 |
| 地址 | 210000江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2404室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化镓功率器件及其封装方法，包括：氮化镓芯片，其上设置有芯片门极、芯片源极和芯片漏极；引线框架，其位于氮化镓芯片的一侧，所述引线框架上的门极与所述芯片门极之间通过金属线连接，所述引线框架上的源极与芯片源极之间通过金属线连接，所述引线框架上的漏极与所述芯片漏极之间通过金属夹连接；壳体，其用于封装氮化镓芯片，所述金属夹包括封装部和散热部，所述封装部被封装在所述壳体内侧，所述散热部暴露在所述壳体外侧。其散热效果好，安全可靠，能够适用于中大功率领域。 |
