超晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器专利查询专利号|摘要-满商公司网

超晶格梯度能带空穴势垒层结构以及红外探测器

基本信息

申请号	CN202010997397.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112201712B	公开（公告）日	2022-03-22
申请公布号	CN112201712B	申请公布日	2022-03-22
分类号	H01L31/0304（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/105（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	刘永锋;张传杰	申请（专利权）人	武汉高芯科技有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430205湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
法律状态	-

摘要

本发明涉及空穴势垒层技术领域，提供了一种超晶格梯度能带空穴势垒层结构，包括n级超晶格层，每级超晶格层均包括由下向上依次生长的InAs层、第一GaSb层、AlSb层以及第二GaSb层，其中，所述InAs层的周期厚度为A，所述GaSb层的周期厚度为所述AlSb层的周期厚度为C，所述第二AaSb层的周期厚度为在第n级超晶格层中，x＝n‑1，且在每级超晶格层中，总周期厚度A+B+C均相等。还提供一种红外探测器，包括上述的超晶格梯度能带空穴势垒层结构。本发明通过改变各级超晶格层中AlSb层的插入位置，即处于处，即可实现能带渐变，无需改变超晶格的周期厚度，维持各层生长总时间不变，势垒层导带偏移小，价带偏移大，满足空穴势垒层的设计需求，结构调节灵活，材料容易实现外延生长。