InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN202210149194.6	申请日	-
公开（公告）号	CN114197055A	公开（公告）日	2022-03-18
申请公布号	CN114197055A	申请公布日	2022-03-18
分类号	C30B29/68（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0304（2006.01）I	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	黄立;魏国帅;刘永锋;吴佳;刘芊栾;王晓碧	申请（专利权）人	武汉高芯科技有限公司
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司	代理人	胡建文
地址	430205湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
法律状态	-

摘要

本发明提供一种InAs/InSb应变超晶格材料的制备方法，包括：S1，提供一衬底；S2，在所述衬底上外延生长缓冲层；S3，在所述缓冲层上外延生长若干个周期的InAs/InSb超晶格结构，每个周期的InAs/InSb超晶格结构包括InAs层和InSb层，其中，InAs层和InSb层的生长采用不同的In源炉。另外，本发明还提供基于该制备方法所获得的InAs/InSb应变超晶格材料。本发明在InAs/InSb超晶格结构的生长过程中，采用两个不同的In源炉，可以分别调整两种In源的速度，使之分别适合于InAs层和较薄的InSb层的生长模式，从而有效避免了生长InAs/InSb超晶格时三维岛状结构的形成，能显著地提高InAs/InSb超晶格结构的生产效率、降低生产成本，以及提高InAs/InSb应变超晶格材料的质量和性能。