红外焦平面芯片及其制备方法、红外焦平面探测器
基本信息
| 申请号 | CN202111238177.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690262B | 公开（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申请公布号 | CN113690262B | 申请公布日 | 2022-03-22 |
| 分类号 | H01L27/146（2006.01）I;G01J5/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黄立;凡陈玲;汪良衡;刘文波;金迎春;操神送;丁颜颜;刘斌;周文洪 | 申请（专利权）人 | 武汉高芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐俊伟 |
| 地址 | 430205湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种红外焦平面芯片，包括衬底、红外敏感层、于衬底上设置的读出电路以及连接红外敏感层的互连金属，于红外敏感层的n型区设抗反膜，红外敏感层的p型区具有不透红外光的金属层，金属层通过引线与公共电极地连接。还提供一种红外焦平面探测器。还提供一种红外焦平面芯片的制备方法。本发明可降低中心像素和边缘像素Gpol工作点之间的电压偏差，进而提高了探测器边缘像素的成像质量。另外采用p型区生长等电位的金属，实现相同的等电位功效，避免了正面等电位加工工艺受限于平面结的局限性，和小像元芯片加工时等电位金属和像元间短路而失效的风险，可实现光增强电信号，减小光串音的效果，避免挡光而降低探测器灵敏度。 |
