一种功率半导体特性参数测试系统及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111098043.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113884850A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113884850A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 王异凡;龚金龙;宋琦华;孙明;王一帆;骆丽;王尊;刘黎;邵先军;王少华;陈虔;曾明全;李文燕;邓志江;张斌;林氦;郭清;陈少华 | 申请（专利权）人 | 浙江大学绍兴微电子研究中心 |
| 代理机构 | 浙江翔隆专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 许守金 |
| 地址 | 310014浙江省杭州市下城区朝晖八区华电弄1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体特性参数测试系统及方法，属于半导体特性参数测试技术领域。本发明的一种功率半导体特性参数测试系统，包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路。本发明设置辅助功率半导体对待测功率半导体的导通时间以及电路通断进行控制，并在功率半导体两端设置吸收电容，能够有效阻隔母线电容到测试半桥之间的部分寄生电感；同时功率主回路采用叠层母排结构进行设置，通过较小的回路面积大大降低了杂散电感，能够以更低的电压实现高电流承载。进而本发明能够有效减小电压过冲叠加以及开关损耗，同时能有效避免电磁干扰，使得本发明特别适用于对第三代半导体高压SiC功率器件进行高精度的动态特性参数测试。 |
