一种用于LED的氮化镓基半导体的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201611042629.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106601879B | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN106601879B | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I; H01L33/06（2010.01）I; H01L33/32（2010.01）I; B82Y30/00（2011.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁沛明 | 申请（专利权）人 | 广东泓睿科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 深圳市立洋光电子股份有限公司 |
| 地址 | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区石环路202号创富科技园B栋厂房3-5层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于LED的氮化镓基半导体的制备方法，该方法可以可以增加补充层提高量子阱的生长质量，提高反向电压，降低器件内部漏电的同时，还利用In组分渐变的斜阱层，改变阱的禁带宽度，以俘获更多的电子和空穴，增大了电子与空穴的接触面积，降低电子的运行速度，增大与空穴的接触的有效电子数，提高发光二极管的发光效率。 |
