一种低中压台面TVS产品的PN结钝化工艺

基本信息

申请号 CN202011473058.X 申请日 -
公开(公告)号 CN112582480A 公开(公告)日 2021-03-30
申请公布号 CN112582480A 申请公布日 2021-03-30
分类号 H01L29/861(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 崔丹丹;裘立强;王毅 申请(专利权)人 扬州杰利半导体有限公司
代理机构 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 葛军
地址 225008江苏省扬州市邗江区维扬经济开发区创业园中路26号
法律状态 -

摘要

摘要 一种低中压台面TVS芯片的PN结钝化工艺。提供了一种生产成本低,有效提升TVS产品耐压能力及可靠性的低中压台面TVS芯片的PN结钝化工艺。包括以下步骤:S1、扩散;在晶片表面沉积一层磷和硼,形成P+‑N‑N+结构;S2、选择性光刻;将晶片区域化成晶粒,并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露出来,其它区域用光阻剂保护;S3、沟槽蚀刻;对晶粒表面暴露出来的区域进行蚀刻;S4、SIPOS膜;S5、绝缘钝化;在SIPOS膜表面形成一层致密的SIO2膜;S6、电极面氧化膜去除;S7、金属化:在晶片表面镀一层电极金属,加工完毕。本发明在工作中,将SIPOS膜钝化与SiO2膜钝化结合,在SIPOS膜沉积后,利用LPCVD在其表面继续生长一层致密的SiO2膜,提升了产品能力。