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一种基于双极性RRAM的非易失性触发器

基本信息

申请号	CN202110271185.X	申请日	-
公开（公告）号	CN112652342B	公开（公告）日	2021-05-25
申请公布号	CN112652342B	申请公布日	2021-05-25
分类号	G11C13/00(2006.01)I	分类	-
发明人	吴佳;李礼;吴叶楠	申请（专利权）人	浙江威固信息技术有限责任公司
代理机构	上海氦闪专利代理事务所（普通合伙）	代理人	李明;袁媛
地址	313200浙江省湖州市德清县阜溪街道双山路136号7幢402号
法律状态	-

摘要

本发明涉及触发器相关设备领域，尤其涉及一种基于双极性RRAM的非易失性触发器，如摘要附图所示，由PMOS晶体管1、PMOS晶体管2、PMOS晶体管3、PMOS晶体管4、PMOS晶体管5、NMOS晶体管1、NMOS晶体管2、NMOS晶体管3、NMOS晶体管4、NMOS晶体管5、限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、参考电阻R5、反相器1、反相器2、反相器3、反相器4、阻变随机存储器RRAM组成，输入端有电源VDD、地GND、输入数据D和输入时钟PK，输出端为输出数据Q。本发明的基于双极性RRAM的非易失性触发器，解决了传统触发器在断电后数据不能保存，恢复供电后之前存储的数据不能恢复的问题。