功率MOSFET器件雪崩能量测试仪专利查询专利号|摘要-满商公司网

功率MOSFET器件雪崩能量测试仪

基本信息

申请号	CN200910219513.0	申请日	-
公开（公告）号	CN101750539A	公开（公告）日	2010-06-23
申请公布号	CN101750539A	申请公布日	2010-06-23
分类号	G01R22/00(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	李志强	申请（专利权）人	西安明泰半导体测试有限公司
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	西安明泰半导体测试有限公司;西安明泰半导体科技有限公司
地址	710065 陕西省西安市高新区锦业路28号创业新大陆工业园B-1
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种功率MOSFET器件雪崩能量测试仪，包括前端雪崩测试电路和后端雪崩电流采样电路，所述前端雪崩测试电路的硬件结构是，包括可调直流电源，可调直流电源与保险丝、MOSFET器件、电感、电流感应器、待测MOSFET器件依次连接构成回路；MOSFET器件的漏极与待测MOSFET器件的源极之间并联有电解电容和瓷片电容；MOSFET器件的源极与待测MOSFET器件的源极之间连接有二极管；所述后端雪崩电流采样电路的结构是，信号调理电路和基准源电路与模数转换器连接，模数转换器与FPGA控制逻辑连接，FPGA控制逻辑分别与测试机信号连接器、MOS驱动电路和分选机信号连接器连接。本发明的测试仪能提供高瞬间电流进行雪崩能量测试。