一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器
基本信息
| 申请号 | CN201920412445.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN209709969U | 公开（公告）日 | 2019-11-29 |
| 申请公布号 | CN209709969U | 申请公布日 | 2019-11-29 |
| 分类号 | H02M7/537（2006.01） | 分类 | 发电、变电或配电; |
| 发明人 | 周祖平; 郑艳文; 魏民; 高飞 | 申请（专利权）人 | 沈阳远大电力电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王宝筠 |
| 地址 | 110023 辽宁省沈阳市经济技术开发区十六号街6-1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种三电平T字型拓扑结构以及单相逆变器和三相逆变器，其拓扑结构包括：电容支路、中点连接支路、半桥支路及输出电感；通过半桥支路以及中点连接支路组成T字型的拓扑结构，并且半桥支路中的开关管均采用SiC‑MOSFET，由于SiC‑MOSFET具有较低的开关损耗和较高开关频率，使得本实用新型提供的T字型拓扑结构的电能转换效率提高，可以将相同直流电的电能，转换成更多的交流电的电能，减少了电能的浪费。 |
