一种P型IBC电池的制备方法
基本信息
申请号 | CN202110319310.X | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN113224210A | 公开(公告)日 | 2021-08-06 |
申请公布号 | CN113224210A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 廖光明;王伟;吴仕梁;张凤鸣 | 申请(专利权)人 | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
代理机构 | 江苏圣典律师事务所 | 代理人 | 徐晓鹭 |
地址 | 214028江苏省无锡市新吴区锡士路20-1号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开一种P型IBC电池的制备方法,与Topcon高效工艺叠加,效率较高;利用P型单晶硅衬底作为P区,正背面均无需B掺杂,且无需掩膜和光刻,工艺步骤简单,将传统IBC电池复杂的工艺步骤降低到12步,生产成本降低非常明显,有利于IBC电池的商业化推广。 |
