抗PID效应的组件及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN202110153773.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112820791A | 公开（公告）日 | 2021-05-18 |
| 申请公布号 | CN112820791A | 申请公布日 | 2021-05-18 |
| 分类号 | H01L31/048;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王杏娟;凌根略;王敏;陶武刚;徐兴军 | 申请（专利权）人 | 深圳市新旗滨科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张杨梅 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道龙珠四路25号方大城T1栋36楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及光伏技术领域，提供了抗PID效应的组件包括玻璃基体，设置在所述玻璃基体任一面的氧化锡层。基于锡离子的离子半径均比钠离子、钙离子小，离子势能更强，与氧原子的结合能力更强，有明显的聚集作用，能够增强玻璃网络结构，使玻璃网络结构更加致密，进而限制钠离子、钙离子的迁移，使玻璃表面不形成含钠离子、钙离子的碳酸盐，保护玻璃不会发生严重的侵蚀，能明显提高玻璃表面以及玻璃镀膜的耐候性，有效的减小玻璃上表面的PID衰减效应的产生；同时，氧化锡层对整体玻璃的透光率影响较小，进而保证得到的组件抗PID效应较强且整体性能优异，应用广泛。 |
