钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜
基本信息
| 申请号 | CN201911190147.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111058003B | 公开（公告）日 | 2021-10-08 |
| 申请公布号 | CN111058003B | 申请公布日 | 2021-10-08 |
| 分类号 | C23C14/34;C22C27/04;C22C32/00;B22F1/00;B22F9/04;B22F3/04;B22F3/15;C23C14/14 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 程银兵;周钧;庄猛;庄志杰 | 申请（专利权）人 | 基迈克材料科技（苏州）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 杜帅 |
| 地址 | 215200 江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区汾杨路东侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种钼铌合金靶材及其制备方法、黑化膜。其中，钼铌合金靶材包括如下质量份的原料组分：钼45‑89.1份、铌5‑9.9份以及金属氧化物1‑50份；其中，所述金属氧化物选自氧化铝和氧化锌中的至少一种。上述钼铌合金靶材的原料组分配比合理，在传统的钼铌合金靶材的基础上，添加至少一种上述金属氧化物，经实验验证，经上述钼铌合金靶材最终制得的黑化膜可以减少或消除电子产品表面的反射光，增加透光量，减少杂散光吸收。 |
