一种铜钒氧化物-FTO复合光电极及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202210095975.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114481205A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114481205A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C25B11/091（2021.01）I;C25B11/067（2021.01）I;C25B1/55（2021.01）I;C25B1/04（2021.01）I | 分类 | 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕; |
| 发明人 | 蒋翔;曹灵峰;汪福宪 | 申请（专利权）人 | 广东省科学院测试分析研究所（中国广州分析测试中心） |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 510641广东省广州市天河区五山路381号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种铜钒氧化物‑FTO复合光电极及其制备方法和应用。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的组成包括依次设置的FTO基底、第一铜钒氧化物层和第二铜钒氧化物层，第一铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为5:2，第二铜钒氧化物层中Cu、V的摩尔比为1:2。本发明的铜钒氧化物‑FTO复合光电极的制备方法包括以下步骤：1）配制不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液；2）将不同Cu、V摩尔比的前驱体溶液依次沉积到FTO基底上，并进行煅烧，即得铜钒氧化物‑FTO复合光电极。本发明通过在FTO基底上设置不同平带电位的铜钒氧化物层，形成了Z型同质结，最终使得光电极的整体电荷分离效率得到显著提高。 |
