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一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜

基本信息

申请号 CN201710565827.0 申请日 -
公开（公告）号 CN107403821B 公开（公告）日 2020-01-10
申请公布号 CN107403821B 申请公布日 2020-01-10
分类号 H01L27/22;H01L43/08 分类 基本电气元件;
发明人 赵巍胜;赵晓璇;彭守仲 申请（专利权）人 致真存储（北京）科技有限公司
代理机构 北京慧泉知识产权代理有限公司 代理人 北京航空航天大学
地址 100191 北京市海淀区学院路37号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明一种具有双间隔层并可形成铁磁或反铁磁耦合的多层膜，至少包括第一铁磁层、第二铁磁层，在第一铁磁层、第二铁磁层之间，采用两个间隔层使两个铁磁层通过层间耦合铁磁或反铁磁地耦合在一起；所述的多层膜为可呈现垂直磁各向异性，所述的多层膜为可呈现面内磁各向异性，该多层膜从下到上依次是第二铁磁层、第二间隔层、第一间隔层、第一铁磁层；其所述的第一铁磁层和第二铁磁层指铁磁材料形成的薄膜层，在同一结构中，上下两个铁磁层可通过层间耦合作用，铁磁或反铁磁地耦合在一起，通过选取具有不同性质的间隔层材料，使多层膜结构具有不同的优势，可用于实现具有强磁各向异性、低阻尼系数、高隧穿磁阻比率值等优点的自旋电子器件。