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一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法

基本信息

申请号 CN201610789862.6 申请日 -
公开（公告）号 CN106206551B 公开（公告）日 2018-11-16
申请公布号 CN106206551B 申请公布日 2018-11-16
分类号 H01L23/62;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78;H01L21/336 分类 基本电气元件;
发明人 张雨;刘侠;杨东林;罗义 申请（专利权）人 芯派科技股份有限公司
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 代理人 西安芯派电子科技有限公司
地址 710077 陕西省西安市高新区天谷八路188号环普科技产业园E座101
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法，包括硅外延层，硅外延层外依次设置有场氧化层和介质层；其中硅外延层内设置有阱区，阱区上设置有源区，源区直接与介质层连接；场氧化层分别与多晶ESD结构和多晶压敏电阻连接，多晶压敏电阻与第一金属层连接；多晶ESD结构与第二金属层连接；有源区与第三金属层连接。通过在MOSFET的栅极和源极增加一个压敏电阻，解决了在常规需求下MOSFET器件测试不到栅极漏电流Igss真实电流的问题，并且还能够实现对单个低压超结MOSFET及单个ESD模块的测试。