一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件
基本信息
| 申请号 | CN201821247424.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208507674U | 公开（公告）日 | 2019-02-15 |
| 申请公布号 | CN208507674U | 申请公布日 | 2019-02-15 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关仕汉; 薛涛; 迟晓丽 | 申请（专利权）人 | 芯派科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 淄博佳和专利代理事务所 | 代理人 | 孙爱华 |
| 地址 | 710000 陕西省西安市高新区天谷八路211号环普科技产业园E101室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种漏极共用的沟槽式双MOS管器件，属于半导体技术领域。包括衬底（19）、漂移区（18）以及沟槽（13），其特征在于：在沟槽（13）内中部的多晶硅分为第一多晶硅（12）和第二多晶硅（14），在两个沟槽（13）之间的MOS结构上开设有底层接触孔（6），在MOS结构的表面设有连接层。还包括如下步骤：步骤1，第一次氧化及光刻；步骤2，第一次氧化物沉积；步骤3，第二次氧化；步骤4，第二道光刻；步骤5，第二次氧化物沉积；步骤6，在漂移区（18）上方形成MOS结构；步骤7，形成连接层。在本漏极共用的沟槽式双MOS管器件中，电流通过两个MOS结构之间的沟槽周围形成的导电通道实现流通，降低了导通电阻。 |
