一种电子注入增强型的高压IGBT及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201510375474.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105047705B | 公开（公告）日 | 2018-04-27 |
| 申请公布号 | CN105047705B | 申请公布日 | 2018-04-27 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/28 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王彩琳;井亚会 | 申请（专利权）人 | 芯派科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 | 代理人 | 王奇 |
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种电子注入增强型的高压IGBT，在n‑硅衬底上方中间部位沟槽内和两侧的平面部分设有栅氧化层，栅氧化层上方设有多晶硅层，称为沟槽‑平面栅极G；沟槽‑平面栅极G两侧的n‑硅衬底上各设有一个p基区，并通过栅氧化层与沟槽‑平面栅极G隔离，每个p基区内n+发射区上表面与所在p基区短路分别形成一个发射极E；n‑漂移区上方与两侧p基区底部相接处设有分立的n载流子存储层；n‑漂移区下方依次设有n场阻止层、p+集电区、集电极C。本发明还公开了上述电子注入增强型的高压IGBT制造方法。本发明的高压IGBT结构，显著改善器件导通时的饱和电压，阻断电压高、通态损耗低、闩锁电流密度较高。 |
