微机电系统磁传感器的制造方法、磁传感器和电子设备
基本信息
| 申请号 | CN202111315848.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114143688A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114143688A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H04R19/00（2006.01）I;H04R31/00（2006.01）I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 邹泉波;丁凯文;冷群文;党茂强;詹慕航 | 申请（专利权）人 | 歌尔微电子股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京博雅睿泉专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马铁良 |
| 地址 | 266101山东省青岛市崂山区科苑纬一路1号青岛国际创新园二期F楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种微机电系统磁传感器的制造方法、磁传感器和电子设备。该微机电系统磁传感器的制造方法包括：在衬底上形成牺牲层；在牺牲层上形成微机电系统层；在微机电系统层上形成用于感测的磁源和磁阻；在微机电系统层上蚀刻出微机电系统沟槽，其中，沟槽至少包括与微机电系统磁传感器的背孔联通的联通沟槽；通过剥离工艺在包括磁源和磁阻的微机电系统层上形成经构图的钝化层；以及在形成钝化层之后，在衬底和牺牲层中形成背孔。 |
