一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法

基本信息

申请号	CN201610382107.6	申请日	-
公开（公告）号	CN105887201B	公开（公告）日	2018-06-19
申请公布号	CN105887201B	申请公布日	2018-06-19
分类号	C30B29/28;C30B19/00;C30B19/10	分类	晶体生长〔3〕;
发明人	杨青慧;郝俊祥;张怀武;马博;饶毅恒;田晓洁;贾利军	申请（专利权）人	成都威频科技有限公司
代理机构	电子科技大学专利中心	代理人	电子科技大学;成都威频科技有限公司
地址	611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
法律状态	-

摘要

一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，本发明涉及石榴石厚膜的制备方法，具体提供一种石榴石单晶厚膜的液相外延间歇式生长方法，首先制备熔体、清洗基片，并进行薄膜试生长，得到生长速率随生长温度变化的模拟曲线E和薄膜晶格常数随生长速率变化的模拟曲线F；然后进行厚膜初次生长，得到具有一定厚度的单晶石榴石薄膜，对初次生长得到的薄膜进行晶格失配测试，依据模拟曲线E、F调节薄膜生长温度进行再次生长；多次重复直到晶格匹配，在晶格匹配下生长得到预设厚度。本发明通过间歇式生长方式得到了单晶石榴石厚膜，该膜与基底之间的晶格匹配度良好，为单晶态；薄膜的结构致密、表面平整，厚度可达100μm以上，是一种可应用于微波及磁光器件中的良好材料。