一种钇铁石榴石单晶薄膜及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510177591.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104831357B | 公开（公告）日 | 2017-10-17 |
| 申请公布号 | CN104831357B | 申请公布日 | 2017-10-17 |
| 分类号 | C30B29/28(2006.01)I;C30B19/10(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨青慧;饶毅恒;张怀武;田晓洁;文岐业;贾利军;朱英超;金曙晨;梅兵 | 申请（专利权）人 | 成都威频科技有限公司 |
| 代理机构 | 电子科技大学专利中心 | 代理人 | 电子科技大学;成都威频科技有限公司 |
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种钇铁石榴石单晶薄膜及其液相外延制备方法，属于电子材料领域。所述钇铁石榴石单晶薄膜的成分为LaxY3‑xFe5O12，x取值范围为0.01～0.05。本发明采用Y2O3、Fe2O3、La2O3、PbO、B2O3为原料，Y2O3的质量百分含量为0.44％，Fe2O3的质量百分含量为10.31％，La2O3的质量百分含量为0.06％，PbO的质量百分含量为87.44％，B2O3的质量百分含量为1.75％；然后采用液相外延法生长单晶薄膜。本发明得到的钇铁石榴石单晶薄膜的铁磁共振线宽很窄，达到1Oe以下；薄膜的粗糙度、晶格匹配、薄膜应力、含铅量、杂相等都得到了改善。 |
