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一种深紫外发光二极管及其发光装置

基本信息

申请号	CN202110727181.8	申请日	-
公开（公告）号	CN113451493A	公开（公告）日	2021-09-28
申请公布号	CN113451493A	申请公布日	2021-09-28
分类号	H01L33/62（2010.01）I;H01L33/36（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	江宾;林素慧;彭康伟;臧雅姝;曾明俊;曾炜竣;陈思河	申请（专利权）人	厦门三安光电有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	361100福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
法律状态	-

摘要

本发明提出了一种深紫外发光二极管及其发光装置，具有衬底、制作在衬底上的半导体层序列，衬底的厚度为300μm至900μm，至少部分第一金属接触电极比有源层更靠近发光二极管边缘，即至少部分第一金属接触电极位于激光切割面和有源层之间，有源层与激光切割面最近的距离为30μm至100μm，第一金属接触电极和第二焊盘设置在竖直投影面上不重合，第二焊盘设置为U型，P焊盘半环绕的设置在第一金属接触电极外，两侧的部分第一金属接触电极与第二焊盘电极平行设置，第一金属接触电极的一端设置在第二焊盘开口内，解决深紫外产品有源层容易被激光破坏的问题，降低激光对发光二极管特别是有源层造成的影响，同时提升封装件中发光二极管的推力。