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一种深紫外发光二极管

基本信息

申请号 CN202110727159.3 申请日 -
公开（公告）号 CN113451472A 公开（公告）日 2021-09-28
申请公布号 CN113451472A 申请公布日 2021-09-28
分类号 H01L33/36（2010.01）I;H01L33/20（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 江宾;林素慧;黄敏;彭康伟;曾明俊;曾炜竣 申请（专利权）人 厦门三安光电有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 361100福建省厦门市同安区洪塘镇镇民安大道841-899号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出了一种深紫外发光二极管，具有衬底、制作在衬底上的半导体层序列，半导体层序列包括与衬底接触的第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层，第一金属接触电极与第一半导体层电连接，第二金属接触电极与第二半导体层电连接，衬底的厚度为300μm至900μm，至少部分第一金属接触电极比有源层更靠近发光二极管边缘，有源层相对衬底表面内缩设置，即至少部分第一金属接触电极位于激光切割面和有源层之间，有源层与激光切割面最近的距离为30μm至100μm，解决深紫外产品有源层容易被激光破坏的问题，降低激光对发光二极管特别是有源层造成的影响。