发光二极管芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110630631.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113380940A | 公开（公告）日 | 2021-09-10 |
| 申请公布号 | CN113380940A | 申请公布日 | 2021-09-10 |
| 分类号 | H01L33/62（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾江斌;何安和;彭康伟;林素慧;张中英;刘鹏;詹宇;卢超;王庆;洪灵愿 | 申请（专利权）人 | 厦门三安光电有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 成亚婷 |
| 地址 | 361100福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括：衬底、外延结构、电极金属层和共晶金属层；其中，共晶金属层的延伸率大于电极金属层的延伸率，共晶金属层的硬度小于电极金属层的硬度。所述LED芯片能够提升LED芯片的柔韧性，以降低LED芯片中共晶金属层剥离的风险，提高LED芯片的使用可靠性；并且，还能增强LED芯片中电极金属层的抗电迁移能力，以避免电极金属层因长期工作发热而出现功能退化或失效的问题。 |
