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微发光二极管、微发光元件及显示器

基本信息

申请号 CN202110506934.2 申请日 -
公开（公告）号 CN113328022A 公开（公告）日 2021-08-31
申请公布号 CN113328022A 申请公布日 2021-08-31
分类号 H01L33/22（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;G09F9/33（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 吴政;李佳恩 申请（专利权）人 厦门三安光电有限公司
代理机构 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 王立红
地址 361100福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器，该微发光二极管包括半导体堆叠层，半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面；第一表面包括粗糙部和平台部，平台部环绕于粗糙部的外围，且粗糙部相对于平台部向第二表面方向凹陷。本申请中平台部主要是利用保护层预先覆盖第一表面的部分区域并在对第一表面粗化过程中避免保护层所覆盖的区域被移除或减薄而成，在形成平台部时，若半导体堆叠层侧壁有绝缘层，则能够避免半导体堆叠层侧壁处的绝缘层暴露在蚀刻流体下，从而避免绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效，提高微发光二极管的可靠性及出光效率。