一种偏振发光二极管芯片
基本信息
| 申请号 | CN201610836776.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106299085B | 公开（公告）日 | 2019-04-30 |
| 申请公布号 | CN106299085B | 申请公布日 | 2019-04-30 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I; H01L33/58（2010.01）I; H01L33/60（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵见国; 孙智江 | 申请（专利权）人 | 中投融资担保海安有限公司 |
| 代理机构 | 北京一格知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 地址 | 226500 江苏省南通市如皋市高新开发区光电科技产业园8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种偏振发光二极管芯片，是一种棱台结构的发光二极管芯片，该棱台结构的发光二极管芯片包括自下而上依次设置的蛾眼结构增透层、周期性蛾眼结构/第二介质阵列层、以及具有完整结构可以正常发光的光二极管芯片，所述棱台结构的发光二极管芯片还包括在棱台斜面及顶面上设置的金属高反射层。本发明的优点在于：本发明为棱台结构的发光二极管芯片，进而形成斜面，且在斜面上设置金属高反射层，能够将横向的光线反射后出射，从而减小光能的损失；通过在发光二极管芯片的出光面设置周期性蛾眼结构/第二介质阵列表面层，可以使发光二极管出射偏振光；同时，通过设置的蛾眼结构增透层，提高光线的出射角，将原来发生全发射的光线出射。 |
