Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法

基本信息

申请号	CN201310223524.2	申请日	-
公开（公告）号	CN103307965B	公开（公告）日	2015-11-18
申请公布号	CN103307965B	申请公布日	2015-11-18
分类号	G01B7/00(2006.01)I;G01B7/32(2006.01)I	分类	测量；测试;
发明人	邵传兵;刘小雨;花磊;王锐	申请（专利权）人	嘉程永丰科技（北京）有限公司
代理机构	济南泉城专利商标事务所	代理人	山东禹城汉能薄膜太阳能有限公司;汉能太阳能光伏科技有限公司;汉能移动能源控股集团有限公司
地址	251200 山东省德州市禹城市高新区振兴大道汉能光伏产业园
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置及检测方法。目前，薄膜镂空采用SEM来测试镂空面积很困难，并且针对薄膜电池尺寸的SEM设备非常昂贵。为此，本发明公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测装置，包括检测装置、电路系统和用于显示薄膜电池中PECVD成膜镂空面积和数量的显示装置；所述检测装置包括探针组和用于实现所述探针组在X轴方向做往返运动的运动系统以及用于实现薄膜电池在Y轴方向做往返运动的定位系统；所述探针组和电路系统形成闭合回路；所述显示装置与电路系统的输出端电连接。此外，本发明还公开了一种Si基薄膜电池中PECVD成膜镂空的检测方法。本发明结构合理、成本较低、使用方便，能够测试出薄膜镂空的数量和面积。