一种多层堆叠射频微系统立方体结构的制作工艺

基本信息

申请号 CN201811593357.X 申请日 -
公开(公告)号 CN110010491B 公开(公告)日 2021-05-28
申请公布号 CN110010491B 申请公布日 2021-05-28
分类号 H01L23/66(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 分类 -
发明人 冯光建 申请(专利权)人 浙江臻镭科技股份有限公司
代理机构 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 董世博
地址 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种多层堆叠射频微系统立方体结构的制作工艺,包括以下步骤:在驱动芯片转接板表面做TSV,RDL,焊盘;减薄转接板,然后在减薄面开槽,把驱动芯片埋入槽内,在转接板表面制作RDL和焊盘;在射频芯片转接板表面做TSV,开槽,把射频芯片埋入槽内,把转接板背面减薄;制作液冷散热器,在散热器硅片表面制作TSV,焊盘和微流道凹槽,把射频芯片转接板和液冷散热器转接板键合在一起;把键合好的射频芯片模组和驱动芯片转接板键合,得到组合功能模组;把功能模组进行多层键合,得到多层功能模组;切割多层功能模组得到单一模组,把单一模组竖立放置在基座上,通过贴片工艺在模组顶端放置天线完成功能组装。