一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811593478.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010547B | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN110010547B | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯光建 | 申请（专利权）人 | 浙江臻镭科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发区陈王路与太湖路交叉口长兴国家大学科技园二分部北园8号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法，具体处理包括如下步骤：101）制作金属柱步骤、102）制作空腔步骤、103）空腔处理步骤；本发明提供有利于后续的芯片粘接和接地，且本工艺制造流程简单，可以大大节省成本和制作时间的一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法。 |
