一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811593478.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010547A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN110010547A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | H01L21/768 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 冯光建;王志宇;张兵;周琪;张勋;郁发新 | 申请（专利权）人 | 浙江臻镭科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 杭州天昊专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董世博 |
| 地址 | 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇西园三路3号5幢6楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法，具体处理包括如下步骤：101）制作金属柱步骤、102）制作空腔步骤、103）空腔处理步骤；本发明提供有利于后续的芯片粘接和接地，且本工艺制造流程简单，可以大大节省成本和制作时间的一种底部带TSV结构的硅空腔结构的制作方法。 |
