一种抗PID 效应的太阳能电池片
基本信息
| 申请号 | CN201420200809.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN203895468U | 公开（公告）日 | 2014-10-22 |
| 申请公布号 | CN203895468U | 申请公布日 | 2014-10-22 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/042(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张凤;金建安 | 申请（专利权）人 | 协鑫硅材料科技（太仓）有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 付涛 |
| 地址 | 215028 江苏省苏州市工业园区圆融时代广场国际金融中心19楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型属于光伏太阳能电池的制造技术，涉及一种抗电势诱导衰减效应的太阳能电池片。其电池片包括有晶体硅衬底、绒面、扩散发射结以及依次沉积在晶体硅衬底上的三层钝化减反射膜，第一层为SiNx，折射率为2.2-2.4，厚度为5-10nm，第二层SiNx的折射率为1.9-2.1，厚度为50-80nm，第三层为氧化铝，折射率为1.8-1.9，厚度为2-10nm。本实用新型抗电势诱导效应效果好，并能够在传统氮化硅镀膜设备基础上进行生产，成本低。 |
