功率器件保护芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811149742.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109244071B | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN109244071B | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L29/872;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 深圳物芯科技控股集团有限公司 |
| 代理机构 | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李明香 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技园社区琼宇路2号特发信息科技大厦15楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供功率器件保护芯片，其包括衬底；形成在衬底上的外延层；间隔形成在外延层内的整流区，整流区包括自外延层的上表面向外延层内形成的第一沟槽、自第一沟槽的底部向外延层内形成的第二沟槽及自第二沟槽的底部向外延层内形成的第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽连通且宽度依次减小，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内均填充第一金属层，第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽内的第一金属层与外延层之间的肖特基势垒高度依次减小；位于两个整流区之间自外延层的上表面延伸至衬底的隔离区，隔离区包括第四沟槽及填满第四沟槽与衬底欧姆接触的第二金属层。本发明还提供功率器件保护芯片的制备方法，增强稳定性型，缩小封装面积和降低制备成本。 |
