一种双温区蒸发源
基本信息
| 申请号 | CN202010257756.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113493900A | 公开（公告）日 | 2021-10-12 |
| 申请公布号 | CN113493900A | 申请公布日 | 2021-10-12 |
| 分类号 | C23C14/24（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 董国材;张祥;梁枫 | 申请（专利权）人 | 国成仪器（常州）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 213000江苏省常州市常州西太湖科技产业园祥云路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种双温区蒸发源，用于解决现有技术中由于温度均匀性差，导致镀膜质量差、原料利用率低、能耗高的技术问题，包括坩埚、加热组件和支撑筒，坩埚内盛有待蒸发原料，支撑筒支撑坩埚和加热件，支撑筒设置开口；加热组件设置有两个加热件，可以使整个温场的温度较为一致，提高了原料使用效率，降低能耗，有效太高了镀膜质量。 |
