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一种柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极结构

基本信息

申请号	CN201510795225.5	申请日	-
公开（公告）号	CN105355676B	公开（公告）日	2017-11-03
申请公布号	CN105355676B	申请公布日	2017-11-03
分类号	H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	张宁;余新平;张伟;孙哲	申请（专利权）人	北京四方智和科技发展有限公司
代理机构	北京金阙华进专利事务所（普通合伙）	代理人	北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司
地址	100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦
法律状态	-

摘要

一种柔性CIGS薄膜太阳电池的背电极结构，其制备方法为在柔性衬底上通过磁控溅射法沉积多层Mo薄膜作为背电极，随后在Mo背电极上依次制备CIGS吸收层、CdS缓冲层、本征ZnO层、AZO层、Ni‑Al栅电极，形成结构为柔性衬底/多层Mo背电极/CIGS吸收层/CdS缓冲层/i‑ZnO窗口层/AZO透明导电层/Ni‑Al栅电极结构的柔性CIGS薄膜太阳电池器件。本发明直接在柔性衬底上制备多层结构Mo薄膜作为背电极层，不仅具有良好的导电性，而且可以有效避免基底材料中杂质元素对CIGS薄膜的扩散和渗透，替代阻挡层作用。本发明无需传统柔性电池制备方法中所需的阻挡层，工艺简单，易于控制，成膜均匀性好，适于工业化规模生产。