一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711304222.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107919404A | 公开（公告）日 | 2018-04-17 |
| 申请公布号 | CN107919404A | 申请公布日 | 2018-04-17 |
| 分类号 | H01L31/0463 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张宁;余新平;戴万雷;韩美英;丁阳 | 申请（专利权）人 | 北京四方智和科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京金阙华进专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)和铜锌锡硫(CZTS)等薄膜太阳能电池透光组件的制备方法，其特征在于首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理，完成透光处理后采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划。本发明的优点是解决了不透明金属背电极的薄膜太阳能电池不能制作透光组件的问题，同时采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划，去除背电极Mo层以上的所有膜层，从而避免了在进行透光处理时可能导致的电池内部短路问题，增强了透光处理的可靠性和良品率。另外，由于本发明采用激光刻划的方式，透光比例任意可调，工艺重复性好，因此提高了生产的稳定性，降低生产与维护成本。 |
