一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法
基本信息
| 申请号 | CN201710259867.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107180892A | 公开（公告）日 | 2017-09-19 |
| 申请公布号 | CN107180892A | 申请公布日 | 2017-09-19 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/032 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张宁;余新平;丁阳;韩美英;李爽;徐会杰;戴万雷 | 申请（专利权）人 | 北京四方智和科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 北京金阙华进专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
| 地址 | 100085 北京市海淀区上地四街9号四方大厦 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池金属电极暴露方法。该电池组件在垂直方向上从下至上依次为背板透光衬底层、非透明导电金属层、薄膜光电转化层、透明导电氧化物层、封装层和前板透光衬底层。此电极暴露方法利用激光器配合扫描振镜进行工作，使用一定波长的激光对需要暴露电极的位置进行扫描照射，通过利用不同膜层对激光的吸收程度不同的原理，达到剥离薄膜光电转化层及透明导电氧化物层，并保留非透明导电金属层的目的。此种工艺可稳定可靠，并使得金属汇流条能够直接接触金属电极，降低薄膜太阳能电池内阻，实现更高的转化效率。 |
